[发明专利]炭基离子插层储能电极材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210522717.3 申请日: 2012-12-08
公开(公告)号: CN103021674A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 陈明鸣;杜思红;王成扬 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01G11/36 分类号: H01G11/36;H01G11/86
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人: 王小静
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种炭基离子插层储能电极材料及其制备方法,属于炭基电极材料技术领域。该材料由有序的类石墨微晶和无序的乱层炭结构组成,其中有序的类石墨微晶结构周围为典型的无序的乱层炭结构。其制备过程包括:以煤焦油沥青或乙烯焦油沥青为原料经320~400℃温度下热缩聚反应,热缩聚后的沥青粉末在600~900℃温度下炭化及在600~900℃温度下KOH活化,最终制得该材料。本发明的优点:操作简单、过程连续,可控性好,易于实现规模化生产。所制备的炭基离子插层储能的电极材料具有有序无序镶嵌的独特结构,具有较大的电容量和较高的耐电压性能。
搜索关键词: 离子 插层储能 电极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种炭基离子插层储能电极材料,该材料为平均粒径20~50μm,其比表面积为278~1048m2/g,孔容积为0.12~0.5cm3/g,其特征在于, 该材料由有序的类石墨微晶和无序的乱层炭结构组成,其中有序的类石墨微晶为炭材料结构的5%~10%,微晶尺寸为2~10nm,微晶的层间距为0.359~0.385nm;微晶周围为典型的无序的乱层炭结构。
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