[发明专利]一种基于磨屑塑封体的扁平封装件制作工艺在审
申请号: | 201210523271.6 | 申请日: | 2012-12-09 |
公开(公告)号: | CN103021882A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 谌世广;朱文辉;王虎;刘卫东;罗育光 | 申请(专利权)人: | 华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于磨屑塑封体的扁平封装件制作工艺,属于集成电路封装技术领域。本发明采用的不同于以往的塑封工艺,在框架上用蚀刻的方法形成凹槽后,采用二次塑封的方法在框架与一次塑封料、二次塑封料之间形成有效的防拖拉结构,大大降低封装件分层情况的发生几率,极大提高产品可靠性,优于传统AQQFN产品的塑封效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 塑封 扁平封装 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种基于磨屑塑封体的扁平封装件制作工艺,其特征在于:具体按照以下步骤进行:第一步、减薄:减薄厚度为50μm~200μm;第二步、划片:150μm以上晶圆采用普通QFN划片工艺,厚度在150μm以下晶圆,使用双刀划片机及其工艺;第三步、上芯:采用粘片胶上芯;第四步、压焊;第五步、一次塑封:用传统塑封料进行塑封;第六步、框架蚀刻凹槽:用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻,形成凹槽,深度控制在框架厚度的一半以内;第七步、回流焊;第八步、二次塑封:二次塑封使用30~32um颗粒度的塑封料填充;第九步、磨屑塑封体:用磨屑的方法磨掉一部分塑封体,并露出锡球横截面;第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造