[发明专利]逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210524694.X | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103855204B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;胡爱斌;朱阳军;陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型IGBT的集电极结构，包括基区、N‑锗缺陷层、P+锗集电极区、N+锗短路区及集电极金属层；所述N‑锗缺陷层设置在基区底面；所述P+锗集电极区及N+锗短路区并列设置在所述N‑锗缺陷层底面与所述集电极金属层之间。本发明还公开了一种逆导型IGBT的集电极结构的制备方法。本发明提供的一种逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法，采用锗材料或者锗硅材料做逆导型IGBT背面集电极可以大幅降低发生回跳现象时的集电极‑发射极电压、发射极电流密度，从而抑制了器件的回跳现象，还可以在低温下获得较高的杂质激活率，能避免昂贵的离子注入过程，降低导通电压和关断时间。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 igbt 集电极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT的集电极结构，其特征在于，包括：N‑锗缺陷层、P+锗集电极区、N+锗短路区及集电极金属层；所述N‑锗缺陷层设置在基区底面；所述P+锗集电极区及N+锗短路区并列设置在所述N‑锗缺陷层底面与所述集电极金属层之间。
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