[发明专利]电流调谐的集成磁膜微电感的制作方法和电感调谐方法

摘要

本发明公开了一种电流调谐的集成磁膜微电感的制作方法，包括如下步骤：制作控制极金属压块和金属导线；制作SiN(氮化硅)介质层；制作图形化的NiFe-SiOx磁性薄膜；制作SiN(氮化硅)介质层；制作介质孔；制作电感金属、互联金属。该电感的调谐方法为，在制作的两个控制极金属压块上外加不同大小的直流电流，实现电感电感量和品质因数的调谐。本发明制得的微电感器件在微波频段(1~6GHz)下具有电感量可调、品质因数可调等特点，并且该电感的制作过程与GaAs、GaN基片标准MMIC制造工艺兼容，可广泛应用于各种RF/MMIC单元电路如放大器、混频器等，特别是各类智能RF/MMIC。

主权项

一种电流调谐的集成磁膜微电感的制作方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在清洗过的基片上使用光刻工艺匀胶、曝光、显影，得到控制极金属压块图形和金属导线图形，使用电子束蒸发工艺淀积金属，使用剥离工艺，得到第一控制极金属压块、第二控制极金属压块和金属导线，所述第一控制极金属压块和第二控制极金属压块通过金属导线连接；(2)使用PECVD工艺在步骤(1)形成的器件上淀积第一SiN介质层；(3)使用光刻工艺匀胶、曝光、显影，得到磁膜图形，该图形与第二控制极金属压块部分重叠，使用溅射工艺淀积NiFe‑SiOx磁性薄膜，使用剥离工艺，得到图形化的NiFe‑SiOx磁性薄膜，NiFe‑SiOx磁性薄膜与第二控制极金属压块部分重叠；(4)使用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)工艺在步骤(3)形成的器件上淀积第二SiN介质层；(5)使用光刻工艺匀胶、曝光、显影，得到介质通孔图形，该图形与第一控制极金属压块和第二控制极金属压块重叠，使用RIE工艺刻蚀步骤(2)和(4)中生长的SiN介质层，使用丙酮去除剩余的光刻胶，得到介质通孔，露出第一控制极金属压块和第二控制极金属压块；(6)使用溅射工艺淀积电镀种子层，使用光刻工艺匀胶、曝光、显影，得到电感金属图形和互联金属图形，使用电镀工艺电镀金属，使用泛曝光、显影去除剩余光刻胶，使用湿法刻蚀去除剩余的种子层金属，得到电感金属和互联金属，所述互联金属连接NiFe‑SiOx磁性薄膜和第二控制极金属压块。