[发明专利]一种耐原子氧的太阳电池电路用互连片有效
申请号: | 201210525639.2 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN103872164B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 王志彬;贺虎;陈萌炯;邢路;朱亚雄;黄三玻;陆剑峰;王训春;王建立 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种耐原子氧的太阳电池电路用互连片,包括:基材,所述基材为钼箔;位于所述钼箔表面的过渡层,所述过渡层为双层结构,包括位于基材表面的铬层和位于铬层表面的镍层;位于所述过渡层表面的银层。实验已经证明,本发明所提供的耐原子氧的太阳电池电路用互连片耐原子氧能力强,可以延长太阳电池阵的空间环境寿命,扩大太阳电池阵的应用领域,提升光伏发电的应用范围。它特别适合于长寿命的航天飞行器,尤其是国际空间站这种低轨、长寿命、大功率的飞行器。其与银质互连片相比,该新型互连片的应用空间更广,寿命更长。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 太阳电池 电路 互连 | ||
【主权项】:
一种耐原子氧的太阳电池电路用互连片,其特征在于,包括:基材,所述基材为钼箔;位于所述钼箔表面的过渡层,所述过渡层为双层结构,包括位于基材表面的铬层和位于铬层表面的镍层;位于所述过渡层表面的银层;所述钼箔的材料是纯度为99.5以上的钼,所述钼箔的厚度为10μm~30μm;所述铬层采用的是铬101,所述铬层的厚度为0.2μm~0.5μm,所述镍层采用的是镍102,所述镍层的厚度为0.5μm~2μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的