[发明专利]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201210526107.0 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151374B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 黄仁俊;吴在浚;李在垣;崔孝枝;河种奉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管包括第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、以及形成在第二半导体层上的反二极管栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第二半导体层；形成在所述第一半导体层或所述第二半导体层上的源极和漏极；以及形成在所述源极和所述漏极之间的栅结构，其中所述栅结构包括反二极管栅结构和栅电极，以及其中所述反二极管栅结构包括第一层和在所述第一层上的第二层，所述第二层用p型掺杂剂以比所述第一层中的p型掺杂剂的浓度低的浓度掺杂。
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