[发明专利]一种功率半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法，该器件包括：基底，该基底具有一个表面和另一个表面并且由第一导电型漂移层形成，第一导电型扩散层，该第一导电型扩散层在所述基底的一个表面上形成并具有比所述第一导电型漂移层更高的浓度，以及形成的沟槽以便从包括第二导电型阱层的所述基底的一个表面沿厚度方向穿过所述第二导电型阱层和所述第一导电型扩散层。本发明提供的功率半导体器件能够使电导率调变形状最大化。

主权项

一种制造功率半导体器件的方法，该方法包括：制备具有一个表面和另一个表面并且由第一导电型漂移层形成的基底；在所述基底的一个表面上形成具有用于形成沟槽的开口部的防蚀涂层；从所述基底的一个表面沿厚度方向形成相应于所述开口部的主沟槽；在所述主沟槽上进行离子注射和热扩散以形成具有比所述第一导电漂移层的浓度更高的浓度的第一导电型扩散层；以及形成从所述主沟槽的底表面延伸到所述厚度方向并穿过所述第一导电型扩散层的次沟槽，其中，根据所述离子注射，所述第一导电型扩散层的杂质掺杂剖面的峰点设置在所述基底的一个表面和所述次沟槽的底表面之间。