[发明专利]Zn2(VO4)(IO3)晶体及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201210526517.5 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103043614B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 毛江高;杨冰苹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01B11/22 | 分类号： | C01B11/22;G02F1/355;G02F1/37 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及非线性光学晶体Zn2(VO4)(IO3)及其制备方法和用途。该化合物属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为a=5.2714(8) Å，b=10.040(1) Å，c=5.5070(8) Å，β=101.32(1) º，Z=2，晶胞体积为V=285.79(7) Å3。采用水热法制备。化合物Zn2(VO4)(IO3)的粉末倍频(SHG)系数为KDP(KH2PO4)的6倍。 | ||
| 搜索关键词： | zn sub vo io 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
化学式为Zn2(VO4)(IO3)的化合物，该化合物属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为β＝101.32(1)°，Z＝2，晶胞体积为所述化合物具有三维的骨架结构，结构中包含IO3基团，VO4四面体，Zn(1)O5多面体和Zn(2)O6八面体。
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