[发明专利]一种新型多晶硅铸锭装置及其铸锭方法无效
| 申请号： | 201210526801.2 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103014850A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘亚;郭志球;苏旭平;王建华 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B30/04 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 卢亚丽 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅铸锭技术领域，尤其是一种在隔热笼外设置有用于控制多晶硅工艺生长步骤从而得到多晶硅铸锭的磁场激励装置及其铸锭方法。该方法的步骤为：装填硅料，调节硅料电阻率，加热硅料，在硅料的融化阶段加入磁场搅拌硅液，并且在随后的结晶阶段同样加入磁场搅拌硅液，冷却并取出硅碇。本发明的有益效果是：铸造多晶硅时采用安装在隔热笼外面的磁场激励装置搅拌硅液，液相成分分布更加均匀，提纯效果更好，得到的铸锭杂质含量更低，成分更加均匀，制备出来的电池片效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 多晶 铸锭 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种新型多晶硅铸锭装置，包括铸锭炉腔体、位于所述铸锭炉腔体内的隔热笼、设置于所述铸锭炉腔体和所述隔热笼之间的石墨加热器、设置于所述隔热笼内侧的坩埚，其特征在于：所述隔热笼外设置有用于控制多晶硅工艺生长步骤从而得到多晶硅铸锭的磁场激励装置。
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