[发明专利]薄膜太阳电池CIGS层的硒化方法

摘要

本发明涉及一种薄膜太阳电池CIGS层的硒化方法，包括以下硒化过程：⑴用气体离化器将Se源蒸发区和气体输出区连接后，气体离化器的离化腔室加温、通入Ar气，Ar气存在于两个电极之间，离化腔室形成辉光放电区；⑵固态Se加热至200-300℃低活性Sen（n≥5）大原子团Se蒸汽进入到400℃~500℃的辉光放电区裂解成小原子团Se蒸汽后，进入到400℃~500℃的气体输出区；⑶小原子团Se蒸汽喷射到衬底表面，参与衬底上CIGS层的反应成膜。本发明通过将大原子团Se蒸汽裂解成Sen（n＜5）小原子团Se蒸汽参与CIGS吸收层制备、提高CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率起到了显著的作用。

主权项

薄膜太阳电池CIGS层的硒化方法，其特征在于：包括以下硒化过程：⑴用气体离化器通过输气管路将带有Se源料桶的Se源蒸发区和带有喷嘴部分的气体输出区连接后，气体离化器的离化腔室中加温至400℃~500℃，通入Ar气，Ar生成等离子带电体，存在于两个电极之间，离化腔室形成辉光放电区；⑵将Se源料桶中的固态Se加热至200‑300℃，固态Se生成低活性Sen（n≥5）大原子团Se蒸汽进入到400℃~500℃的辉光放电区；辉光放电区中的大原子团Se蒸汽裂解成Sen（n＜5）小原子团Se蒸汽后，进入到400℃~500℃的气体输出区；⑶调节气体输出区中小原子团Se蒸汽的流量，将小原子团Se蒸汽喷射到衬底表面，参与薄膜太阳电池衬底上CIGS层的反应成膜；反应成膜完成后，先关闭Se蒸汽，待气体离化器中的温度降至150℃以下后再停止Ar气的提供。