[发明专利]单晶硅太阳能电池及其制作方法有效
| 申请号： | 201210529346.1 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103107233A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞鹏;张开军;付建明;温显 | 申请（专利权）人： | 杭州赛昂电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/078;H01L31/036 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种单晶硅太阳能电池的制作方法，包括：提供基片，所述基片为第一类型单晶硅片；在所述基片上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底上形成第二类型掺杂层，所述第二类型掺杂层受到双轴应力；在所述第二类型掺杂层表面形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成第一电极，在所述基片下表面形成第二电极。所述单晶硅太阳能电池的制作方法能够有效提高单晶硅太阳能电池中载流子的迁移率，提高单晶硅太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供基片，所述基片为第一类型单晶硅片；在所述基片上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底表面形成第二类型掺杂层，所述第二类型掺杂层受到双轴应力；在所述第二类型掺杂层表面形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成第一电极，在所述基片下表面形成第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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