[发明专利]一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210529449.8 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103035981A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 苟君;王军;黎威志;蒋亚东;吴志明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P11/00;G02B5/00
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 徐丰;杨保刚
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法,该吸收层制备在太赫兹探测器敏感单元的顶层。所述超薄金属膜通过刻蚀减薄较大厚度的金属薄膜制备,在刻蚀减薄过程中调节工艺参数与刻蚀剂浓度分布,造成微区刻蚀速率差异,获得粗糙、多孔、黑化的超薄金属膜。刻蚀的方法有两种:一种是用反应离子刻蚀方法与干法刻蚀的后腐蚀现象将金属薄膜刻蚀为超薄金属膜,具有易控制反应过程与超薄金属膜厚度等优点;另一种是用湿法化学腐蚀方法将金属薄膜腐蚀为超薄金属膜,具有易控制超薄金属膜表面形貌与颜色等优点。粗糙、多孔、黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点,有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率。
搜索关键词: 一种 超薄 金属膜 赫兹 吸收 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超薄金属膜太赫兹吸收层,其特征在于:所述太赫兹吸收层为表面粗糙、多孔、黑化的超薄金属膜;②所述太赫兹吸收层的厚度为20nm~300nm;③所述超薄金属膜吸收层位于太赫兹探测器敏感单元的顶层。
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