[发明专利]垂直扩散氧化炉石英工艺管的结构在审
| 申请号： | 201210529564.5 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103871927A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘波;董颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直扩散氧化炉石英工艺管，其工艺气体分流室的高度与直径的比值在0.054以上，工艺气体分流室的体积在0.725升以上。本发明通过增加工艺气体分流室的高度和体积，减少了工艺气体对气体分流板向下的压力，同时也避免了工艺气体分流室顶部石英层在高温条件下向下变形接触工艺气体引导管，从而减缓了气体分流板的向下塌陷变形，延长了石英工艺管在1200℃高温下的连续使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 氧化 石英 工艺 结构 | ||
【主权项】：
一种垂直扩散氧化炉石英工艺管，其特征在于，工艺气体分流室的高度与直径的比值在0.054以上，工艺气体分流室的体积在0.725升以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
