[发明专利]用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210529823.4 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102998725A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王军;苟君;杨明;闫淼;蒋亚东;黎威志 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法，该超薄金属膜被所述金属活性刻蚀剂的氟基等离子体轰击处理，氟基等离子体的物理轰击使金属薄膜表面粗糙化。同时，通过调节刻蚀时氟离子能量与浓度，使大量氟离子吸附到金属薄膜粗糙表面并在表面扩散与反应，获得表面富集氟离子的金属薄膜。刻蚀后氟离子在粗糙的金属薄膜表面生成大量结晶缺陷，使金属薄膜表面黑化。粗糙黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点，有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率，且制备工艺简单，与MEMS工艺兼容，可广泛应用于太赫兹探测与成像领域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 吸收 赫兹 辐射 粗糙 金属 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜，其特征在于：①所述金属薄膜表面被粗糙黑化；②所述金属薄膜的黑化表面为晶体缺陷；③所述金属薄膜为位于太赫兹探测器敏感单元顶层的太赫兹吸收层。
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