[发明专利]器件晶片的加工方法有效
申请号: | 201210530080.2 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN103871911B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | D·马丁;M·布朗 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 党晓林,王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种器件晶片的加工方法,其用于防止因粘接剂的附着而发生器件不合格。所述器件晶片的加工方法的特征在于具备下述步骤载体晶片准备步骤,准备在与器件晶片的外周剩余区域对应的位置具有载体剩余区域的载体晶片;凹部形成步骤,在载体剩余区域形成凹部;粘接剂配设步骤,在凹部形成步骤实施后,将粘接剂以从载体晶片的表面突出的方式配设在凹部;晶片贴合步骤,在粘接剂配设步骤实施后,将载体晶片的表面侧与器件晶片的表面侧贴合,通过粘接剂将器件晶片固定在载体晶片;以及薄化步骤,在晶片贴合步骤实施后,对器件晶片的背面侧进行磨削或研磨以将器件晶片薄化至预定厚度。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种器件晶片的加工方法,所述器件晶片具有器件区域和外周剩余区域,在所述器件区域,在由形成于所述器件晶片的表面的多条交叉的分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件,所述外周剩余区域围绕所述器件区域,所述器件晶片的加工方法的特征在于,所述器件晶片的加工方法具备下述步骤:载体晶片准备步骤,在所述载体晶片准备步骤中,准备载体晶片,所述载体晶片为供所述器件晶片贴附的载体晶片,所述载体晶片在与所述器件晶片的所述外周剩余区域对应的位置具有载体剩余区域;凹部形成步骤,在所述凹部形成步骤中,在所述载体晶片的表面的所述载体剩余区域,在比该载体晶片的外周缘靠内侧的位置形成未开口于该外周缘的凹部;粘接剂配设步骤,在所述粘接剂配设步骤中,在所述凹部形成步骤实施后,将粘接剂以从所述载体晶片的表面突出的方式仅配设在所述凹部;晶片贴合步骤,在所述晶片贴合步骤中,在所述粘接剂配设步骤实施后,将所述载体晶片的表面侧与所述器件晶片的表面侧贴合,通过所述粘接剂将所述器件晶片固定在所述载体晶片;以及薄化步骤,在所述薄化步骤中,在所述晶片贴合步骤实施后,对所述器件晶片的背面侧进行磨削或研磨以将所述器件晶片薄化至预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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