[发明专利]用于制造具有均匀梯状高度的隔离区的半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201210530132.6 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103258777A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | F·贾库波斯基;J·雷德科;F·路德维格 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 提供一种用于制造具有均匀梯状高度的隔离区的半导体装置的方法。在实施例中，一种制造半导体装置的方法包含形成覆盖半导体衬底的平坦化终止层。沟槽蚀刻穿过该平坦化终止层及进入该半导体衬底中并以隔离材料填充沟槽。平坦化该隔离材料以建立与该平坦化终止层共平面的隔离材料的顶表面。该方法中，执行干式除渣工艺以移除该平坦化终止层的一部分及该隔离材料的一部分用以将该隔离材料的顶表面降低至在该半导体衬底上方的期望梯状高度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 均匀 高度 隔离 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：形成覆盖半导体衬底的平坦化终止层；蚀刻沟槽穿过该平坦化终止层而进入该半导体衬底中；以隔离材料填充该沟槽；平坦化该隔离材料，以建立与该平坦化终止层共平面的隔离材料的顶表面；以及执行干式除渣工艺，以移除该平坦化终止层的一部分及该隔离材料的一部分，用以降低该隔离材料的该顶表面至在该半导体衬底上方所期望的梯状高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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