[发明专利]一种掺杂区熔硅单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201210530394.2 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103866375A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘志伟;闫志瑞;陈海滨;付斌;黄龙辉;李明飞 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种掺杂区熔硅单晶的制备方法，它包括以下步骤(1)将多晶硅料磨锥、腐蚀、清洗、干燥；(2)将多晶硅料固定在磁控溅射仪空腔中，掺磷硅靶装好，抽真空至5*10-3Pa，然后通入氩气，腔内压强为1Pa，在两电极之间施加500Kv的高电压，电离出的氩离子不断轰击靶材，靶材中的磷和硅原子获得能量溅射出来，沉积到多晶硅表面，形成一层均匀致密的磷/硅薄膜，溅射经过30～90分钟后中止溅射，打开溅射腔将多晶硅旋转180°，重复上述步骤，继续溅射相同时间；(3)取出多晶硅料，放入区熔硅单晶炉中，将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩，直至等径保持，收尾。本方法的优点是：不仅成本低廉，生产效率高，无毒害，而且径向轴向电阻率均匀性均比较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 区熔硅单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂区熔硅单晶的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：(1)、将多晶硅料磨锥、腐蚀、清洗、干燥；(2)将多晶硅料固定在磁控溅射仪空腔中，掺磷硅靶装好，抽真空至5*10‑3Pa，然后通入氩气，腔内压强为1Pa，在两电极之间施加500Kv的高电压，电离出的氩离子不断轰击靶材，靶材中的磷和硅原子获得能量溅射出来，沉积到多晶硅表面，形成一层均匀致密的磷/硅薄膜，溅射经过30～90分钟后中止溅射，打开溅射腔将多晶硅旋转180°，重复上述步骤，继续溅射相同时间；(3)取出多晶硅料，放入区熔硅单晶炉中，将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩，直至等径保持，收尾。
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