[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法有效
| 申请号： | 201210530472.9 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103022083A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐利燕;张春兵 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杜秀科 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。所述阵列基板，包括薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管包括半导体有源层，所述薄膜晶体管器件的半导体有源层的材质为微晶硅。半导体有源层采用微晶硅，可以提高载流子迁移率。本发明提供阵列基板的制备方法，激光退火时源漏金属层起到传热作用，使半导体有源层的非晶硅转化为微晶硅，使得阵列基板的载流子迁移率提高，进而降低其工作电压和功耗，进一步提高显示装置的分辨率和亮度。而且，相对于多晶硅阵列基板，本发明的阵列基板的成本低，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管包括半导体有源层，其特征在于，所述薄膜晶体管器件的半导体有源层的材质为微晶硅。
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