[发明专利]独立栅控制的纳米线隧穿场效应器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种独立栅控制的纳米线隧穿场效应器件，由控制栅电极(2)、调节栅电极(1)、源区(6)、漏区(7)、沟道区(5)、调节栅介质层(3)和控制栅介质层(4)组成，成轴对称：调节栅电极位于中心；沟道区及其两侧的源区和漏区与调节栅电极通过调节栅介质层电隔离，并同轴全套入调节栅电极；沟道区、源区和漏区的总长度与调节栅电极和调节栅介质层的长度都相等；控制栅电极与沟道区通过控制栅介质电隔离，并同轴全套入沟道区；控制栅电极、控制栅介质层和沟道区的长度都相等。这种晶体管，引入调节栅电极使其工作于独立栅控的条件下，能动态调节阈值电压，降低电路功耗，而工作于共栅条件下，能提高器件的电流开关比和驱动能力。

主权项

一种独立栅控制的纳米线隧穿场效应器件，其特征在于，由控制栅电极(2)、调节栅电极(1)、源区(6)、漏区(7)、沟道区(5)、调节栅介质层(3)和控制栅介质层(4)组成，成轴对称，其中：所述调节栅电极位于中心；所述沟道区(5)及其两侧的所述源区(6)和漏区(7)与所述调节栅电极(1)通过所述调节栅介质层(3)电隔离，并同轴全套入所述调节栅电极(1)；所述沟道区、所述源区和漏区的总长度与所述调节栅介质层和调节栅电极的长度都相等；所述控制栅电极(2)与所述沟道区(5)通过所述控制栅介质(6)电隔离，并同轴全套入所述沟道区(5)；所述控制栅电极、控制栅介质和沟道区的长度都相等。