[发明专利]用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210531516.X | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN103866267A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 卢维尔;夏洋;李超波;解婧;张阳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/44 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法,包括将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积,形成N-Zr-N的共掺;所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积,后氧源沉积;所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积,后第二次锌源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共掺,以增加受主元素的掺入量,促进氧化锌薄膜的p型转变。 | ||
搜索关键词: | 用于 zr 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于N‑Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,包括:将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积,形成N‑Zr‑N的共掺;所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积,后氧源沉积;所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积,后第二次锌源沉积。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的