[发明专利]一种提高电荷泵效率的方法在审
| 申请号： | 201210531828.0 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103872900A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周世聪;余振强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高电荷泵效率的方法，当PMOS应用于电荷泵时，在PMOS导通瞬间，PMOS的漏极电压高于PMOS的源极电压时，控制PMOS的漏极和源极之间的电压差小于该PMOS的寄生PNP三极管的导通电压，这样，就使得该PMOS的寄生PNP三极管处于截止状态，采用了降低输入电压的方式减少在PMOS导通瞬间，PMOS的漏极电压高于PMOS的源极电压时的能量损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电荷 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高电荷泵效率的方法，其特征在于，PMOS应用在电荷泵时，在PMOS中具有寄生PNP三极管，该寄生PNP三极管的发射极连接该PMOS的漏极，该寄生PNP三极管的基极与该PMOS的N阱连接后，接入到该PMOS的源极上，该寄生PNP三极管的集电极与衬底连接，其特征在于，该方法还包括：当该PMOS导通瞬间，在该PMOS的漏极和源极之间加载低于该寄生PNP三极管导通电压的电压。
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