[发明专利]一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201210532035.0 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102963863A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张海霞;张晓升;孟博;朱福运;唐伟 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法，采用优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，无需掩膜实现高密度纳米碳化硅球状阵列，极大增大表面面积体积比；同时由于优化DRIE工艺中钝化步骤在表面淀积的氟碳聚合物，极大降低表面能，则所制备碳化硅材料具有超疏水特性，静态接触角CA＞160°；再通过强碱性溶液腐蚀去除硅基底，则能够实现柔性碳化硅薄膜；且由于强碱性溶液腐蚀去除表面聚合物钝化层，形成裸露高密度碳化硅尖端阵列，则所制备柔性碳化硅薄膜具有超亲水特性，静态接触角CA＜1°。本发明工艺简单、成本低、产率高、可批量生产，首次实现了超疏水和超亲水可控的碳化硅材料，且为柔性薄膜材料，具有广阔的应用前景和实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亲疏 水性 调谐 柔性 碳化硅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法，其特征是：采用优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，无需掩膜实现高密度纳米碳化硅球状阵列，极大增大表面面积体积比；同时由于优化DRIE工艺中钝化步骤在表面淀积的氟碳聚合物，极大降低表面能，则所制备碳化硅材料具有超疏水特性，静态接触角CA>160°；再通过强碱性溶液腐蚀去除硅基底，则能够实现柔性碳化硅薄膜；且由于强碱性溶液腐蚀去除表面聚合物钝化层，形成裸露高密度碳化硅尖端阵列，则所制备柔性碳化硅薄膜具有超亲水特性，静态接触角CA<1°。
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