[发明专利]一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法无效

专利信息
申请号: 201210532101.4 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN103014872A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 曾世铭;刘立忠;姚晨;赖毅房;徐由兵;汪传建 申请(专利权)人: 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
主分类号: C30B31/00 分类号: C30B31/00;C22F1/00
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 332005 江西省九江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法,步骤包括选定一台单晶炉作为掺杂剂淬火炉;所述淬火炉内装入石英坩埚,抽真空,通氩气,加热到700℃,恒温1小时;将水槽洗净,注入2/3体积的自来水,推至淬火炉;将已测试好电阻率的掺杂剂晶块用水洗净,晾干后,置于晶块淬火筐内;提升淬火筐至副炉室中,副炉室抽空和换气,最后将淬火筐降入石英埚内;烘烤30分钟后,快速将淬火筐提升并取出,立即将淬火筐沉入水槽中,使掺杂剂块体淬火,同时将另一淬火筐装入掺杂剂后吊入淬火炉内,进行烘烤;水槽内的块体掺杂剂冷却后,取出掺杂剂块体,手工敲碎即可。解决了人工敲碎加工掺杂剂效率低、产量少、容易混入杂质和出现过碎粉体的问题。具有简单、易行、效率高的特点。
搜索关键词: 一种 太阳 能用 硅片 掺杂 破碎 方法
【主权项】:
一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法,其特征在于,步骤包括,1)选定一台单晶炉作为掺杂剂淬火炉;2)所述淬火炉内装入石英坩埚,抽真空,通氩气,加热到700℃,恒温1小时;3)将水槽洗净,注入2/3体积的自来水,推至淬火炉;4)将已测试好电阻率的掺杂剂晶块用水洗净,晾干后,置于晶块淬火筐内;5)提升淬火筐至副炉室中,副炉室抽空和换气,最后将淬火筐降入石英埚内;6)烘烤30分钟后,快速将淬火筐提升并取出,立即将淬火筐沉入水槽中,使掺杂剂块体淬火,同时将另一淬火筐装入掺杂剂后吊入淬火炉内,进行烘烤;7)水槽内的块体掺杂剂冷却后,取出掺杂剂块体,手工敲碎即可。
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