[发明专利]一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法有效
| 申请号： | 201210532250.0 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102963864A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张威;苏卫国;邓康发;李宋;周浩楠;江少波;郑焕 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘，然后旋涂一定厚度的光刻胶，之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔，最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器件晶片进行对准键合。本发明采用BCB胶作粘附剂，平整高、键合温度低，工艺实现方便，具有与集成电路兼容的特性；并采用光刻胶作为刻蚀BCB胶和微空腔的软掩膜，使得BCB胶平整性好，在键合过程中受力均匀，从而能有效降低BCB胶的形变，避免BCB胶流入腔体和粘附在MEMS器件上，提高了MEMS器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 bcb 晶片 空腔 密封 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片级微空腔的密封方法，其特征在于，所述密封方法包括以下步骤：1）炫涂BCB胶及软烘：在半导体晶片上先旋涂BCB胶，之后软烘来部分聚合化BCB胶；2）光刻形成微空腔的图形；3）刻蚀BCB胶，然后刻蚀半导体晶片，形成微空腔；4）表面有旋涂有BCB胶的微空腔的半导体晶片，与设置有MEMS器件的器件晶片进行对准并键合。
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