[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，以交替方式形成柱图案，并且在不使用倾斜离子注入工序或掩模的情况下形成一侧触点（OSC），从而形成竖直栅极。该半导体器件包括形成在半导体基板上方的交替或交错型柱图案、形成在柱图案的柱之间的第一孔、形成在第一孔的侧壁上的钝化层、通过部分地蚀刻第一孔的下部所形成的第二孔、形成在第二孔中的位线以及形成在柱图案的下部处的触点。

主权项

一种半导体器件，包括：第一孔，其形成在多个柱之间；钝化层，其形成在所述第一孔的侧壁上；第二孔，其通过部分地蚀刻所述第一孔的下部而形成；位线，其形成在所述第二孔中，所述位线包括相对的第一纵向侧和第二纵向侧；柱图案，其包括多个柱，所述多个柱交替地设置在所述位线的第一侧和第二侧；以及触点，其形成在所述柱图案的柱的下部处。