[发明专利]用于提高氧化锌薄膜P型稳定性的方法有效

专利信息
申请号: 201210532370.0 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103866272A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 卢维尔;夏洋;李超波;李楠;解婧 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/44;H01L21/205;C30B25/02
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种用于提高氧化锌薄膜P型稳定性的方法,包括将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积,形成N-Zr-N的共掺;所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积,后氧源沉积;所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积,后含掺杂元素Zr的掺杂源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共掺,以增加受主元素的掺入量,促进氧化锌薄膜的p型转变。
搜索关键词: 用于 提高 氧化锌 薄膜 稳定性 方法
【主权项】:
一种用于提高氧化锌薄膜P型稳定性的方法,其特征在于,包括:将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积,形成N‑Zr‑N的共掺;所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积,后氧源沉积;所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积,后含掺杂元素Zr的掺杂源沉积。
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