[发明专利]半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法无效
| 申请号： | 201210532591.8 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103871815A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 罗兴安 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法。该半导体处理装置，包括一处理室、一基座及一喷头。基座位于处理室中并用以承载半导体晶圆。喷头用以供应处理气体至处理室。本发明同时还提供了一种处理半导体晶圆的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体处理装置，其特征在于其包括：一处理室；一基座，位于该处理室内并用以承载一半导体晶圆；以及一喷头，用以供应一处理气体至该处理室，该喷头具有多个可调节出口，用以供应一种或多种处理气体至该处理室。
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