[发明专利]低损耗深紫外多层膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210532888.4 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103018798A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G02B1/10 分类号: G02B1/10;C23C14/06;C23C14/24
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 南小平
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 低损耗深紫外多层膜的制备方法,属于深紫外光学技术应用领域,为了解决现有技术中深紫外光学薄膜,应用全氧化物膜层导致光学薄膜系统吸收损耗大以及应用全氟化物膜层导致光学薄膜系统散射损耗大的问题,该方法包括以下步骤:步骤一、将需要镀膜的光学基底进行超声波清洗、慢拉脱水、N2烘干;步骤二、按照薄膜设计的膜系结构,在步骤一完成后的光学基底上,采用离子辅助电子束蒸发工艺制备氧化物膜层堆;步骤三、采用热蒸发工艺继续在氧化物膜层堆上制备氟化物膜层堆,本发明克服了全氟化物多层膜体系中薄膜的内部结构比较疏松、表面粗糙度比较大的缺点,避免了全氧化物多层膜体系中外层氧化物薄膜与激光作用的导致吸收损耗较大的缺点。
搜索关键词: 损耗 深紫 多层 制备 方法
【主权项】:
低损耗深紫外多层膜的制备方法,其特征是,包括以下步骤:步骤一、将需要镀膜的光学基底(1)进行超声波清洗、慢拉脱水、N2烘干;步骤二、按照薄膜设计的膜系结构,在步骤一完成后的光学基底(1)上,采用离子辅助电子束蒸发工艺制备氧化物膜层堆(2);步骤三、采用热蒸发工艺继续在氧化物膜层堆(2)上制备氟化物膜层堆(3)。
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