[发明专利]原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法

摘要

本发明公开原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法，其包括将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的N‑As的双受主共掺的氧化锌薄膜。本发明提供的原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法，利用ALD技术，在氧化锌薄膜生长的过程中，完成整个薄膜结构的共掺，得到N‑As双受主的共掺。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于氧化锌薄膜的p型掺杂和提高p型电学性质的稳定性。

主权项

一种原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括：将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积，氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的N‑As的双受主共掺的氧化锌薄膜；所述基片是经过浓硫酸和双氧水处理，并经超纯水超声过的硅片、蓝宝石或玻璃，衬底表面带有羟基；所述As掺杂源的沉积顺序是指在Zn源沉积之前、与Zn同时通入腔室进行沉积或先Zn源沉积之后沉积As掺杂源；所述复合沉积包括：在真空环境下依次用As掺杂源、锌源、氧源和氮掺杂源进行沉积得到N‑As双受主共掺的ZnO薄膜。