[发明专利]一种直孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201210533686.1 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103871868A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李方华;陈定平 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直孔刻蚀的方法，用于护层刻蚀机台中，用于包括有衬底及形成所述衬底表面的介质层的半导体半成品进行加工，所述方法包括：在所述介质层表面上形成光刻胶层，覆盖所述介质层，其中，所述介质层为形成于所述衬底上的含有硼和/或磷的介质层；对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上形成需要刻蚀直孔的至少一个区域；利用护层刻蚀气体与一惰性气体的混合气体对所述至少一个区域进行刻蚀，形成至少一个直孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种直孔刻蚀方法，用于护层刻蚀机台中，用于包括有衬底及形成所述衬底表面的介质层的半导体半成品进行加工，其特征在于，所述方法包括：在所述介质层表面上形成光刻胶层，覆盖所述介质层，其中，所述介质层为形成于所述衬底上的含有硼和/或磷的介质层；对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上形成需要刻蚀直孔的至少一个区域；利用护层刻蚀气体与一惰性气体的混合气体对所述至少一个区域进行刻蚀，形成至少一个直孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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