[发明专利]基于二象限探测器的放电等离子体电子密度测量装置与方法有效

专利信息
申请号: 201210533905.6 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103068136A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 杨晨光;李斌;左都罗;王新兵;陆培祥;唐建;徐勇跃;刘力 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H05H1/00 分类号: H05H1/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种放电等离子体电子密度测量装置及方法。装置包括探测光源、二象限探测器和信号处理器。将探测光源与二象限探测器分别放置在两个旋转平移台上,分置于放电装置的两端,使探测光源的激光对准二象限探测器的中心;重复多次将探测光源与二象限探测器在同一个维度上移动相同的距离,记录放电时不同位置二象限探测器两个光敏面的响应幅值比;再由信号处理器根据两个光敏面的响应幅值比计算出该维度上放电等离子体电子密度分布。本发明克服了传统测量装置系统结构复杂、设备昂贵的缺点,同时能够有效的提高测量精度,并且对放电等离子体不造成干扰,得到放电等离子体电子密度的空间分布。
搜索关键词: 基于 象限 探测器 放电 等离子体 电子密度 测量 装置 方法
【主权项】:
一种放电等离子体电子密度测量装置,包括探测光源、二象限探测器和信号处理器,其特征在于:探测光源和二象限探测器分别用于位置在放电等离子体两端,二象限探测器用于探测探测光源所发出的光束经过放电等离子体所产生的偏折,信号处理器用于根据偏折得到放电等离子体的电子密度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210533905.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top