[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201210533924.9 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103872094A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 廖政华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/314;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置包括一基板、一半导体层以及一材料层。半导体层形成于基板上。材料层形成于半导体层上。半导体层及材料层沿着一从基板延伸的垂直方向具有一锥状轮廓。藉此本发明可以有效的抑制在结构之间的电桥或短路的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于其包括：一基板；一半导体层，形成于该基板上；以及一材料层，形成于该半导体层上，其中该半导体层与该材料层沿着一从该基板延伸的垂直方向具有一锥状轮廓，该半导体层的一表面与该材料层的一表面为共平面。
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