[发明专利]光伏装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210534069.3 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103165685A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 徐京真;丁炳国;金贤钟;朴敏;李昌浩;李尚洹 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;李柱天 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法，该装置包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；氮化硅的间隙绝缘层，在半导体基底的第一表面上，间隙绝缘层的接近半导体基底的部分具有与间隙绝缘层的远离半导体基底的部分中的硅:氮比不同的硅:氮比；半导体结构，在半导体基底的第一表面上；以及电极，在半导体结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光伏装置，所述光伏装置包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；氮化硅的间隙绝缘层，在半导体基底的第一表面上，间隙绝缘层的接近半导体基底的部分具有与间隙绝缘层的远离半导体基底的部分中的硅:氮比不同的硅:氮比；半导体结构，在半导体基底的第一表面上；以及电极，在半导体结构上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210534069.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：手柄枢轴结构
- 下一篇：核电站通用模拟量板件检测系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
