[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池光吸收层的方法无效
| 申请号： | 201210534197.8 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103014643A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 屈飞;古宏伟;丁发柱;戴少涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池光吸收层的方法。首先在玻璃基片上溅射制备Mo背电极；然后以Ga2Se3、In2Se3和CuSe三种二元陶瓷块交叉拼接靶材为靶材，各拼接陶瓷块角度分别为5°，20°，20°。在400℃～450℃条件下在Mo背电极上用射频磁控溅射沉积铜铟镓硒（CIGS）薄膜，随后将沉积获得的CIGS薄膜移入管式真空炉中，真空炉抽至真空小于8.0×10-3Pa，以20℃/min升温速率将CIGS薄膜加热至500℃～550℃，以5℃/min将硒源加热到230℃～280℃，用氩气（Ar）作为载气将硒输运到真空管式炉中，退火气压1Pa～10Pa，保温时间20min～40min，随后以10℃/min的降温速率降温至350℃，随炉冷却至150℃，得到CIGS薄膜太阳能电池光吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 光吸收 方法 | ||
【主权项】：
一种制备CIGS薄膜太阳能电池光吸收层的方法，其特征在于，所属的制备方法采用射频磁控溅射和硒化退火工艺，步骤如下：⑴在钠玻璃基片上溅射Mo薄膜，制备CIGS薄膜太阳能电池所需的Mo背电极；⑵将制备的Mo电极放入腔体加热器上，安装溅射陶瓷靶，靶基距为60mm，然后抽真空至小于3.0×10‑3Pa，以20℃/min升温速率将沉积有Mo背电极的玻璃样品加热至400℃～450℃，随后通入氩气，将气压调至0.1～0.8Pa，开溅射，将溅射功率增加至100～150W，辉光稳定后，移开挡板，开始沉积，沉积40分钟后，关挡板，关溅射，断开氩气，关真空系统，得CIGS薄膜；⑶随后将沉积的CIGS薄膜移入管式真空炉中，真空炉抽至真空小于8.0×10‑3Pa，以20℃/min升温速率将CIGS薄膜加热至500℃～550℃，以5℃/min将硒源加热至230℃～280℃，用氩气（Ar）作为载气将硒输运到真空管式炉中，退火气压1Pa～10Pa，保温时间20min～40min，随后以10℃/min的降温速率降温至350℃，随炉冷却至150℃，得到CIGS薄膜太阳能电池光吸收层。
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