[发明专利]一种可获得高抛光速率的单晶硅晶圆片抛光工艺有效
| 申请号： | 201210534575.2 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102962756A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王丹;垢建秋;刘建伟;孙晨光;武卫 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可获得高抛光速率的单晶硅晶圆片抛光工艺。在粗抛光工艺中采用美国杜邦SR330粗抛光液，与纯水稀释比例为1:20～1:40，流量为24.0±0.5L/min，采用罗门哈斯SUBA600抛光垫，粗抛光工艺分成三个步骤：1.使用粗抛光液进行抛光，抛光时间10s；大盘转速25±2rpm；中心导轮转速50±2rpm；压力50±3kPa；2.使用粗抛光液进行抛光，抛光时间10±3min；大盘转速40±2rpm；中心导轮转速80±2rpm；压力150±50kPa；3.使用纯水进行抛光，抛光时间40s；大盘转速25±2rpm；中心导轮转速50±2rpm；压力50±3kPa。采用本工艺加工的抛光片，去除速率达到1.83～2.09μm/min，远高于同行业1μm/min的平均水平，同时合格率可以稳定达到90％以上；抛光片产能的提升降低了固定成本，从而满足国内外市场的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可获得 抛光 速率 单晶硅 晶圆片 工艺 | ||
【主权项】：
一种可获得高抛光速率的单晶硅晶圆片抛光工艺，其特征在于，在粗抛光工艺中采用美国杜邦SR330粗抛光液，将该粗抛光液与纯水稀释比例为1:20～1:40，稀释后的粗抛光液流量为24.0±0.5L/min，并采用罗门哈斯SUBA600抛光垫，所述粗抛光工艺分成三个步骤进行抛光，其各个步骤设定的工艺参数如下：步骤一：使用粗抛光液进行抛光，抛光时间10s；大盘转速25±2rpm；中心导轮转速50±2rpm；压力50±3kPa； 步骤二：使用粗抛光液进行抛光，抛光时间10±3 min；大盘转速40±2rpm；中心导轮转速80±2rpm；压力150±50kPa；步骤三：使用纯水进行抛光，抛光时间40s；大盘转速25±2rpm；中心导轮转速50±2rpm；压力50±3kPa。
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