[发明专利]一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法

摘要

本发明涉及一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法，其步骤如下：1、配制低温HF腐蚀液：先将HF与DIW按照质量配比为HF：DIW=1:0.9至1:2.5混合成HF腐蚀液，然后倒入滚轮式去边机的酸槽内；再放入质量相当于DIW三倍的DIW冰块，搅拌均匀并静置25-30分钟，其温度控制在6±0.7℃；2、将装有硅晶圆片的片架装入滚轮式去边机上；3、去除处理结束后，取出片架进行清洗，最后检验边缘去除效果；4、每加工200片，排出和补入占低温HF腐蚀液总量10%的低温HF腐蚀液。本发明的滚轮式去边技术可用于大规模集成电路及分离器件所用抛光片的制备，并具有成本低，生产效率高，实用性强等优点，是一种适用于大规模工业生产抛光片的去除背面边缘SiO2膜的技术。

主权项

一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法，其特征在于，用HF腐蚀液与DIW冰块混合配制成低温HF腐蚀液进行硅晶圆片边缘氧化膜的去除处理，其步骤如下：步骤一、配制低温HF腐蚀液：（A）、先将HF与DIW按照质量配比为HF：DIW=1:0.9至1:2.5混合成HF腐蚀液，然后倒入滚轮式去边机的酸槽内；（B）、再放入质量相当于步骤（A）配比中DIW三倍的DIW冰块，搅拌均匀并静置25‑30分钟，其温度控制在6±0.7℃，即为低温HF腐蚀液；步骤二、将装有硅晶圆片的片架装入滚轮式去边机上，转动转轮，使转轮上布袋浸有的低温HF腐蚀液与硅晶圆片边缘氧化膜发生反应；步骤三、去除处理结束后，取出片架进行清洗，最后检验边缘去除效果；步骤四、每加工200片，排出和补入占低温HF腐蚀液总量10%的低温HF腐蚀液，以保持腐蚀液浓度及温度稳定。