[发明专利]生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210534778.1 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103035789A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强;杨慧 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性蓝光LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 ligao sub 衬底 极性 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片，其特征在于，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂u‑GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜。
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