[发明专利]一种具有二极管搭接的热辅助闪存的操作方法在审
| 申请号： | 201210534780.9 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103871468A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有二极管搭接的热辅助闪存的操作方法。该热辅助闪存包括第一导体、第二导体与介电层；第一导体往第一方向延伸；第二导体往不同于第一方向的第二方向延伸；介电层介于第一导体与第二导体之间；该热辅助闪存的操作方法包括提供沿第一方向流动的电流至第一导体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 二极管 辅助 闪存 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的操作方法，其中该半导体结构包括：一第一导体，往一第一方向延伸；一第二导体，往不同于该第一方向的一第二方向延伸；以及一介电层，介于该第一导体与该第二导体之间，该半导体结构的操作方法包括提供沿该第一方向流动的电流至该第一导体。
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