[发明专利]一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210534913.2 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103035794A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00;C30B25/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的Al2O3保护层，在Al2O3保护层上依次生长出u-GaN缓冲层、n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层及p-GaN层。本发明还公开了上述LED外延片的制备方法。与现有技术相比，本发明的生长在Si衬底上的LED外延片具有优异的电学、光学性质，晶体质量高，缺陷密度低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 衬底 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种生长在Si衬底上的LED外延片，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的Al2O3保护层，在Al2O3保护层上依次生长出u‑GaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层及p‑GaN层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市众拓光电科技有限公司，未经广州市众拓光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210534913.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种OFDM系统的峰均比抑制方法及设备
- 下一篇：一种高效水流的洗衣机波轮
