[发明专利]侧向双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方。收集区位于衬底介质层的上方。本发明侧向双极晶体管的制备方法实现了本发明侧向双极晶体管。本发明侧向双极晶体管有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。本发明侧向双极晶体管的制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。

主权项

一种侧向双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括第一导电类型的发射区，位于所述发射区侧面的本征基区，位于所述本征基区侧面的收集区，位于所述发射区上方的发射极介质层，位于所述发射极介质层上方的外基区，位于外基区上方的基区介质层，位于衬底上方的衬底介质层；所述衬底介质层环绕所述发射区并延伸进入发射区；所述本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方；所述收集区位于衬底介质层的上方。