[发明专利]单晶硅中阶梯光栅的湿法刻蚀方法

摘要

单晶硅中阶梯光栅的湿法刻蚀方法，涉及光谱技术领域，解决现有中阶梯光栅制作方法存在制作成本高，有鬼线及高杂散光的问题，本发明的制作过程包括基底处理、涂胶、前烘、全息曝光、显影、后烘、倒置热熔、氧化层掩模制备、去胶、单晶硅湿法刻蚀、清洁处理和光栅复制。本发明所述的制作方法成本低并且易于实现，本方法特别是采用光刻胶倒置热熔法可以制备小占宽比的光刻胶掩模，大大地节约了成本、缩短了制作周期，该种光栅在光学系统中的应用能够减少系统的零部件，可显著提高光学系统的分辨率和色散度。

主权项

单晶硅中阶梯光栅的湿法刻蚀方法，其特征是，该方法包括以下步骤：步骤一、在单晶硅基底上生长SiO2层后涂覆光刻胶； 步骤二、将步骤一涂覆光刻胶后带有SiO2层的基底放入烘箱中，升高烘箱温度至120℃，计时二十分钟后取出，然后将带有SiO2层的基底放入光学零件形成的干涉场中进行全息曝光；步骤三、将步骤二全息曝光后获得的带有SiO2层的基底进行显影，将显影后的带有SiO2层的基底以光刻胶面朝下放入烘箱中进行后烘；后烘后的基底进行倒置热熔，倒置热熔的过程为继续升高烘箱温度至160℃，计时三十分钟后取出；步骤四、在倒置热熔后的带有SiO2层的基底上制备氧化层掩膜，然后去胶，将去胶后获得的单晶硅基底进行湿法刻蚀，采用复制方法进行槽形复制，形成中阶梯光栅。