[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210537075.4 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165679A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 冉晓雯;蔡娟娟;廖峻宏;陈蔚宗 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明在此揭露一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包含金属氧化物半导体层、绝缘层、栅极、源极以及漏极。金属氧化物半导体层包含通道区、源极区及漏极区。通道区具有至少一第一区域以及一第二区域，第一区域的氧空缺浓度大于第二区域的氧空缺浓度。第一区域被第二区域围绕。绝缘层配置在通道区上。源极区及漏极区分别位于通道区的相对两侧。栅极配置在绝缘层上。源极及漏极分别电性连接源极区与漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包含：一金属氧化物半导体层，包含：一通道区，具有至少一第一区域以及一第二区域，该第一区域的氧空缺浓度大于该第二区域的氧空缺浓度，其中该第一区域被该第二区域围绕；以及一源极区及一漏极区，分别位于该通道区的相对两侧；一第一绝缘层，配置在该通道区上；一第一栅极，配置在该第一绝缘层上，其中该第一栅极具有至少一第一开口，且该第一开口位于该第一区域上方；以及一源极及一漏极，分别电性连接该源极区与该漏极区。
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