[发明专利]超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210537421.9 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103035533A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;周祥标;许鹏;张卫;张世理 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/203;H01L21/324;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。 | ||
| 搜索关键词： | 超浅结 半导体 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超浅结半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：A．提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成栅极结构；B．以栅极结构为掩膜，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在所述半导体衬底上淀积混合物薄膜；C．对所述淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；所述超浅结为PN结，或者金属半导体结；D．去除所述半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成所述超浅结半导体场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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