[发明专利]一种超高清洗能力的单晶硅晶圆片清洗方法

摘要

本发明涉及一种通过无蜡抛光的方法改善晶圆硅片表面外观的加工工艺，方法的步骤：1）将需要清洗的硅片放到无蜡抛光机上模具的吸附垫中，无蜡贴片依靠模具上的吸附垫通过水膜的张力来固定硅片；2）硅片背面在无蜡抛光机上进行抛光；3）修复后卸片进行清洗，4）修复后硅片表面光泽度，所述的待修复的单晶硅晶圆片可选取4至6英寸，厚度选择区间为200μm至800μm，掺杂剂可为As、P、Sb或B，拉晶方式可为区熔或直拉，晶向可为<100>或<111>，电阻率选择区间为1至104Ω.cm，其效果：可以对单晶硅晶圆硅片的外表面进行有效修复，有利于提高单晶硅晶圆片的生产良率。

主权项

一种超高清洗能力的单晶硅晶圆片清洗方法，其特征在于：所述方法包括如下次序的步骤：   1）将需要清洗的硅片放到无蜡抛光机模板垫上的圆槽中，无蜡贴片依靠模板垫上的吸附垫通过水膜的张力来固定硅片；   2）硅片背面在无蜡抛光机上进行抛光；硅片背面在无蜡抛光机上分步进行抛光，无蜡抛光工艺的参数包括：选用清洗液、抛光时间、抛光压力和抛光机转速；每一步选择的参数不同：    第一步：清洗液为DIW，抛光时间为30±5S，抛光压力为0.5±0.1BAR，抛光机大盘转速为20rpm,抛光机导轮转速为40 rpm；    第二步：清洗液为3900，抛光时间为3±1Min，抛光压力为1.5±0.2BAR，抛光机大盘转速为20rpm,抛光机导轮转速为40 rpm，使用3900抛光液时，其稀释比例为1:18，抛光液流量为3L±1/min；   第三步：清洗液DIW，抛光时间1±0.5 Min，抛光压力1.0±0.2BAR，抛光机大盘转速为20rpm,抛光机导轮转速为40 rpm；    第四步：清洗液DIW，抛光时间1±0.5M，抛光压力0.5±0.1BAR，抛光机大盘转速为20rpm,抛光机导轮转速为40 rpm；   第五步：清洗液HAC，抛光时间20±2S，抛光压力0.5±0.1BAR，抛光机大盘转速为20rpm,抛光机导轮转速为40 rpm，使用HAC时，其稀释比例为1:1000，抛光液流量为3±1 L /min；3） 完成修复后卸片进行清洗，清洗方式纯水超声清洗，纯水电阻率＞18MΩ，超声频率为40KHz；   4）修复后硅片表面光泽度，控制在90至130Gs；所述待修复的单晶硅晶圆片直径选取4至6英寸，厚度选择区间为200μm至800μm，掺杂剂为As、P、Sb或B，拉晶方式为区熔或直拉，晶向为<100>或<111>，电阻率选择区间为1至104Ω.cm。