[发明专利]等离子体处理设备及其下电极机构有效
申请号: | 201210538842.3 | 申请日: | 2012-12-13 |
公开(公告)号: | CN103866296A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 李萌 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海;宋合成 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于等离子体处理设备的下电极机构,包括:下电极底板、接地柱支撑件、接地柱、载板支撑件、载板和加热器,其中,下电极底板接地。接地柱支撑件位于下电极底板的上方,并沿着竖直方向可升降。接地柱的上端与载板支撑件连接,接地柱的下端与接地柱支撑件连接。载板支撑件位于接地柱支撑件的上方,载板支撑件接地且与接地柱电绝缘。载板支撑在载板支撑件上,且通过载板支撑件直接接地。以及加热器设置在载板支撑件和接地柱支撑件之间。根据本发明实施例的下电极机构,接地电流路径简单,且重复性高,解决了下电极接地不良的问题。本发明还公开了一种具有上述下电极机构的等离子体处理设备。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 及其 电极 机构 | ||
【主权项】:
一种下电极机构,其特征在于,包括:下电极底板、接地柱支撑件、接地柱、载板支撑件、载板和加热器,其中,所述下电极底板接地;所述接地柱支撑件位于所述下电极底板的上方,并沿着竖直方向可升降;所述接地柱的上端与所述载板支撑件连接,所述接地柱的下端与所述接地柱支撑件连接;所述载板支撑件位于所述接地柱支撑件的上方,所述载板支撑件接地且与所述接地柱电绝缘;所述载板支撑在所述载板支撑件上,且通过所述载板支撑件直接接地;以及所述加热器设置在所述载板支撑件和所述接地柱支撑件之间。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的