[发明专利]高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置有效
申请号: | 201210539154.9 | 申请日: | 2012-12-13 |
公开(公告)号: | CN102994980A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 陈新江 | 申请(专利权)人: | 苏州汉纳材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/26;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 孙东风;王锋 |
地址: | 215125 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置。本发明是利用浮动催化裂解法在高温下制备碳纳米管气溶胶,并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内,以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到基底上,形成高导电碳纳米管薄膜。本发明可以实现高性能碳纳米管薄膜的大面积、连续、低成本、高效的制备,并且在基材透光率约92%的情况下,所述高导电碳纳米管薄膜的透光率可高达88%,面阻可低至100Ω/□。 | ||
搜索关键词: | 导电 纳米 薄膜 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法,其特征在于,包括:利用浮动催化裂解法在温度为1250‑1600℃的条件下制备碳纳米管气溶胶,并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内,以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到基底上,形成高导电碳纳米管薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的