[发明专利]高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置有效

专利信息
申请号: 201210539154.9 申请日: 2012-12-13
公开(公告)号: CN102994980A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 陈新江 申请(专利权)人: 苏州汉纳材料科技有限公司
主分类号: C23C16/448 分类号: C23C16/448;C23C16/26;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人: 孙东风;王锋
地址: 215125 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置。本发明是利用浮动催化裂解法在高温下制备碳纳米管气溶胶,并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内,以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到基底上,形成高导电碳纳米管薄膜。本发明可以实现高性能碳纳米管薄膜的大面积、连续、低成本、高效的制备,并且在基材透光率约92%的情况下,所述高导电碳纳米管薄膜的透光率可高达88%,面阻可低至100Ω/□。
搜索关键词: 导电 纳米 薄膜 制备 方法 装置
【主权项】:
一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法,其特征在于,包括:利用浮动催化裂解法在温度为1250‑1600℃的条件下制备碳纳米管气溶胶,并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内,以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到基底上,形成高导电碳纳米管薄膜。
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