[发明专利]一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法，该三维半导体存储器件包括：衬底；在该衬底上依次交替淀积绝缘层和电极材料层形成的多层膜结构；刻蚀该多层膜结构至该衬底形成的多个通孔；在该多个通孔内壁依次淀积阻挡层、存储层和隧穿层形成的多个栅堆栈；在该多个栅堆栈的隧穿层表面淀积沟道材料而形成的多个空心沟道；在该空心沟道上方位线连接用接触孔接触区形成的漏级；以及在该空心沟道下方通孔与衬底接触区形成的源极。本发明有效地克服了传统多晶硅沟道低载流子迁移率所带来的小的开态沟道电流的技术难题，并提高了垂直向各存储单元存储性能的一致性和可靠性，降低了垂直沟道的制造难度和成本。

主权项

一种垂直沟道型三维半导体存储器件，其特征在于，包括：一衬底；在该衬底上依次交替淀积绝缘层和电极材料层形成的多层膜结构；刻蚀该多层膜结构至该衬底形成的多个通孔，该通孔用以定义出沟道区域；在该多个通孔内壁依次淀积阻挡层、存储层和隧穿层形成的多个栅堆栈；在该多个栅堆栈的隧穿层表面淀积沟道材料而形成的多个空心沟道；在该空心沟道上方位线连接用接触孔接触区形成的漏级；以及在该空心沟道下方通孔与衬底接触区形成的源极。