[发明专利]完全电容性耦合的输入斩波器有效
| 申请号： | 201210539511.1 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103166646B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | J·H·赫伊吉森;范钦雯;K·A·A·马金瓦 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H03M3/00 | 分类号： | H03M3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种完全电容性耦合的输入斩波器。一种从差分输入端Vinp和Vinn传送差分信号的方法，差分输入端的共模输入电压能够比电源电压更高，该方法包括提供具有作为差分输入端的Vinp和Vinn的输入斩波器；提供输出斩波器；将输入斩波器的差分输出端Voutp和Voutn电容性地耦合至输出斩波器的差分输入端；将时钟电容性地耦合至输入斩波器，并且将时钟耦合至输出斩波器，时钟具有第一相位以及与第一相位相反的第二相位，将第一相位耦合至第一和第二晶体管的栅极，并且将第二相位耦合至第三和第四晶体管的栅极；以及提供对第一至第四晶体管的栅极的保护以使其免受过大的电压。公开了各种实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 完全 电容 耦合 输入 斩波器 | ||
【主权项】：
一种从差分输入端Vinp和Vinn传送差分信号的方法，所述差分输入端Vinp和Vinn的共模输入电压能够比电源电压更高，包括：提供具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的输入斩波器，每一个晶体管具有源极、漏极和栅极，所述输入斩波器具有作为差分输入端的Vinp和Vinn；提供输出斩波器；将所述输入斩波器的差分输出端Voutp和Voutn电容性地耦合至所述输出斩波器的差分输入端；将时钟电容性地耦合至所述输入斩波器，并且将所述时钟耦合至所述输出斩波器，所述时钟具有第一相位以及与所述第一相位相反的第二相位，将所述第一相位电容性地耦合至所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极，并且将所述第二相位电容性地耦合至所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极；以及提供对所述第一晶体管至所述第四晶体管的栅极的保护以使其免受过大的电压，其中所述第一晶体管至所述第四晶体管是MOS晶体管，并且其中所述第一晶体管和所述第三晶体管的源极耦合至所述Vinp输入端，所述第二晶体管和所述第四晶体管的源极耦合至所述Vinn输入端，所述第一晶体管和所述第四晶体管的漏极耦合至输入斩波器的输出端Voutp，并且所述第二晶体管和所述第三晶体管的漏极耦合至所述输入斩波器的输出端Voutn。
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