[发明专利]一种湿法去除冶金级硅中杂质B的方法有效
| 申请号： | 201210539824.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102992326A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 谢克强;马文会;麦毅;魏奎先;周阳;伍继君;吕国强;朱文杰;刘大春;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供一种湿法去除冶金级硅中杂质B的方法，将冶金级硅破碎细磨成-100～-600目的硅粉；按液固比为2:1～10:1加入到由氯化铵、氟化钠和甲醇组成的混合水溶液中，再加热至40～100℃进行搅拌浸出0.5～7h；然后进行液固分离后，再将滤饼用水洗涤数次至中性后烘干，即得到除杂质B的冶金级硅。是一种设备简单，操作容易，能耗少，成本低的去除杂质B的方法，既不需要高压条件，也不需要高温，在常压低温中进行，不需要特殊的设备，常规的搅拌反应釜就适合工艺要求。该方法是一种简单有效的去除冶金级硅中的B的方法，浸出液可循环使用，操作简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 去除 冶金 级硅中 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法去除冶金级硅中杂质B的方法，其特征在于经过下列各步骤：（1）将冶金级硅破碎细磨成‑100～‑600目的硅粉；（2）将步骤（1）的硅粉按液固比为2:1～10:1加入到由氯化铵、氟化钠和甲醇组成的混合水溶液中，再加热至40～100℃进行搅拌浸出0.5～7h；（3）将步骤（2）的混合物进行液固分离后，再将滤饼用水洗涤数次至中性后烘干，即得到除杂质B的冶金级硅。
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