[发明专利]一种自支撑多层微纳米结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210540029.X | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102976264A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;崔阿娟;李无瑕;刘哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 100080 中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种自支撑多层微纳米结构的制备方法，其包括步骤：平整衬底的选取与清洗；在平整衬底上生长多层膜结构，形成多层膜基底；在多层膜基底上制备自支撑母体纳米结构，形成多层膜基底自支撑母体纳米结构体系；对多层膜基底自支撑母体纳米结构体系进行离子束干法刻蚀，获得自支撑多层微纳米结构；对自支撑多层微纳米结构进行热退火处理；得到自支撑多层微纳米结构成品。本发明的制备方法是基于干法刻蚀中多层膜基底材料的再沉积现象使多层膜基底上自支撑纳米结构包裹一层基底材料的现象来制备不位于多层膜基底平面内的自支撑多层微纳米结构，具有工艺简单、易行、低成本、灵活性好、可控性高、大面积加工以及可制备的结构材料广泛的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 多层 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自支撑多层微纳米结构的制备方法，其特征在于，其包括下列步骤：步骤S1：选取平整衬底并清洗；步骤S2：在平整衬底上制备多层膜结构，得到多层膜基底；步骤S3：在多层膜基底表面上制备自支撑母体纳米结构，得到多层膜基底自支撑母体纳米结构体系；步骤S4：将多层膜基底自支撑母体纳米结构体系放入到离子刻蚀系统的样品腔中，对多层膜基底自支撑母体纳米结构体系进行离子束干法刻蚀；刻蚀过程中，除了被自支撑母体纳米结构覆盖的部分之外，多层膜基底表面的物质会从上至下依次的在离子束的轰击下溅射出来，再沉积在自支撑母体纳米结构上，从而形成自支撑多层微纳米结构；步骤S5：通过对所得到的自支撑多层微纳米结构进行热处理，用于对自支撑多层微纳米结构的微结构或形状进行调控；步骤S6：得到自支撑多层微纳米结构的成品。
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